產(chǎn)品介紹
分子束外延（MBE）是一種外延制膜方法， 也是一種特殊的超高真空條件下薄膜生長工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術(shù)， 它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下， 沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。
MBE的優(yōu)點(diǎn)是： 膜層生長速率慢（ 每秒單原子層） ， 束流強(qiáng)度易于精確控制， 膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。用這種技術(shù)已能制備薄到原子層級(jí)別的單晶薄膜， 以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結(jié)構(gòu)材料。
主要技術(shù)參數(shù)：
1、適用于III / V族， II / VI族材料外延生長
2、襯底尺寸：10mm*10mm（旗形樣品托）、2英寸、3英寸、4英寸
3、樣品臺(tái)：四軸（XYZ和旋轉(zhuǎn)）以及五軸高低溫樣品臺(tái)@10mm*10mm（旗型樣品托）
4、樣品臺(tái)：加熱、冷卻（液氮）可選
5、襯底加熱溫度室溫至1200℃，控溫精度±0.1℃。液氮低溫可優(yōu)于100K。旋轉(zhuǎn)速率0-30rpm
6、RHEED原位表征，BFM（Beam Flux Monitor）和QCM膜厚在線監(jiān)控可選
Smart-200
Mini MBE
Smart-100
標(biāo)準(zhǔn)旗型樣品托
系統(tǒng)極限真空： 10-10 Torr數(shù)量級(jí)
進(jìn)樣室（帶儲(chǔ)存）+ 外延生長室
束源法蘭：底部4*CF35,側(cè)面4*CF35
標(biāo)準(zhǔn)旗型樣品托
系統(tǒng)極限真空：10-10 Torr數(shù)量級(jí)
進(jìn)樣室（帶儲(chǔ)存）+ 外延生長室
束源法蘭：底部4*CF35，2*CF63,側(cè)面3*CF35
4英寸及以下襯底的生長
最大束源個(gè)數(shù)：12
可集成束源種類：K-CELL、E-BM、CRACKER、PLASMA CELL等
生長本底真空：超高真空10-11 Torr或10-10 Torr量級(jí)可選
全自動(dòng)或半自動(dòng)或手動(dòng)控制模式可選
MBE-C
根據(jù)用戶目前的系統(tǒng)定制MBE，可與STM、ARPES、XPS等表征設(shè)備進(jìn)行對(duì)接
