產(chǎn)品介紹
超高真空磁控濺射系統(tǒng)相對(duì)于傳統(tǒng)的磁控濺射系統(tǒng)本底真空更好，成膜質(zhì)量更高；并且系統(tǒng)可以與超高真空互聯(lián)系統(tǒng)進(jìn)行對(duì)接；可用于納米級(jí)的單層及多層功能膜-各種金屬膜、半導(dǎo)體膜、磁性薄膜、介質(zhì)膜和氧化物薄膜等的生長(zhǎng)。磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。
主要技術(shù)參數(shù)：
1）襯底尺寸：10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2）襯底加熱溫度室溫至1000℃，控溫精度±0.1℃，旋轉(zhuǎn)速率0-30rpm，靶基距可調(diào)范圍100mm
3）集成多個(gè)靶槍實(shí)現(xiàn)共濺射或直濺射可選，標(biāo)準(zhǔn)靶或強(qiáng)磁靶可選，滿(mǎn)足單層和多層薄膜沉積應(yīng)用
4）沉積均勻性?xún)?yōu)于±5%@4英寸(100mm)襯底
5）射頻，直流，脈沖直流和HIPMS等電源可選
6）射本底真空：高真空（10-8Torr量級(jí)）或超高真空（10-10Torr量級(jí)）可選
7）QCM膜厚在線(xiàn)監(jiān)控
